金属膜电阻结构

2024-12-20 19:00:23

　　IT之家11 月 18 日消息，英特尔昨日发文介绍了其至强 6 性能核 Granite Rapids 处理器支持的新型 DDR5 MRDIMM（IT之家注：多路复用双列直插式内存模块）背后的故事。

　　英特尔 DCAI 事业部内存开发资深首席工程师 Geo✅rge Vergis 表示，大多数 DIMM 都拥有 2 个 Rank（阵列）以实现性能和容量间的平衡。而在服务器处理器✅支持的传统 RDIMM 上，虽然可以让独立存储和数据访问发生在多个 Rank 间，但却无法同时进行，导致并行资源无法被充分㊣利用。

　　这使得 Vergis 想到在 DRA㊣M 模块上配置 1 个小型多路复用器（MUX）接口芯片，从而让数据可以于同一时刻㊣在两个 Rank 上并行传输。

　　Vergis带领团队自 2018 年开始研发 MRDIMM，并于 2021 年完成了原型概念验证。英特尔在 2022 年底将 MRDIMM 组件㊣规格作为新的开放标准捐赠给了行业标准制定✅组织 JEDEC。

　　在至强 6 性能核处理器上，标准 DDR5 RDIMM 仅可实现 6400MT/s 的数据传输速率，而 MRDIMM 在无需调整主板设计的情况下可达到 8800MT/s，峰值带宽提高近 40%，缓解了现代处理器核心数量飙升带来的每核心内存带宽下降问题。

　　MRDIMM 尤其适用于科学计算和小语言模型、传统深✅度学习、推荐系统等特定工作负载，可解✅决这些工作场景中面临的内存带宽瓶颈。

　　英特尔表示接口芯片是什么意思，一些领先的存储厂商已经推出 MRDIMM金属膜电阻结构，更多厂商将会陆续发布他们的产品；一些研究机构也正在积极采用支持 MRDIMM 技术的至强 6 性能核处理器。

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